次の回路の電圧利得を求めなさい。
入力端子と、左側の FET のソース間の電圧を V' と置きます。 すると、左側の FET の入力電圧は V'、右側の FET の入力電圧は V' - V1 となります。 従って、相互コンダクタンスを gm とす ると、左側の FET のドレイン・ソース電流は gm V'。 右側の FET のドレイン・ソース電流は gm (V' - V1 ) となります。 従って、左側の FET のドレインの電圧は (電源電圧) - RDgm V'。一方、右側の FET のドレインの電圧は (電源電圧) - RDgm (V' - V1 ) となります。 従って、V2 = RD gm V1 となります。 つまり電圧利得は Av = RDgm となります。
トランジスタの端子間のコンダクタンスによる影響には次のようなことがあり ます。
これらを理解して対処するため、これから次のようなことを学びます。
FET では図のように各端子間にコンデンサが存在するような状況だと考えます。
ソース接地回路を考え、従来のように等価回路で表すと次のようになります。
このままでは回路の解析が難しいです。
接合型トランジスタでも同様の考え方ができますが、次のようなハイブリッ ドπ型モデルと呼ばれる等価回路により計算することもあります。
高周波回路の解析では、トランジスタを h パラメータではなく、 y パラメー タによって解析を行います。 y パラメータとは入力電流、出力電流を、入力 電圧、出力電圧で表したもので、係数であるアドミッタンスは一般に複素数に なります。
y パラメータを使用すると帰還を考えやすくなるという利点があります。 y パラメータが表す等価回路はつぎの通りです。
上の FET の回路を y パラメータの四端子回路に変換します。 まず、 V_2 を短絡して、0 として、 V_1 の係数を求めます。
また、 V1 を接地して、 V2 の係数を求めます。
まとめると次のようになります。
y パラメータの電圧利得、電流利得を求めなさい。